IBM Tembus 155 Ghz
IBM selama ini telah melakukan pengembangan Graphene Transistor yang tentunya sudah mulai menuai hasil. para peneliti dari IBM telah mampu membuat graphene transistor yang dapat beroprasi pada kecepatan 155 GHz, yang merupakan sedikit peningkatan dari rekor pada tahun sebelumnya yaitu 100 GHz.
IBM pada bulan Februari 2010 tahun yang lalu mereka menggunakan teknologi 240 nanometer untuk membuat graphene transistor yang cepat, yang tentu saja tidak dapat dibandingkan dengan komponen mikroprosesor saat ini yang sudah mencapai 32nm. Namun saat ini teknologi manufaktur dari IBM graphene transistor telah melalui proses improvisasi hingga transistor mereka mampu mencapai kecepatan 155 GHz dengan menggunakan teknologi 40 nanometer.
Transistor graphene yang berbasis karbon ini dikembangkan bersama DARPA yang akan digunakan untuk pemanfaatan frequensi radio yang memerlukan kecepatan frekuensi yang extreme dengan memanfaatkan karakteristik molekular transistor ini karena desain hexagonal pattern yang dikembangkan memudahkan elektron untuk melompat dengan kecepatan yang tinggi.
Hal ini tentu saja akan mendorong dunia semiconductor untuk menemui jendela yang baru karena sampai saat ini kita belum memiliki pengganti dari transistor model silicon.
IBM pada bulan Februari 2010 tahun yang lalu mereka menggunakan teknologi 240 nanometer untuk membuat graphene transistor yang cepat, yang tentu saja tidak dapat dibandingkan dengan komponen mikroprosesor saat ini yang sudah mencapai 32nm. Namun saat ini teknologi manufaktur dari IBM graphene transistor telah melalui proses improvisasi hingga transistor mereka mampu mencapai kecepatan 155 GHz dengan menggunakan teknologi 40 nanometer.
Transistor graphene yang berbasis karbon ini dikembangkan bersama DARPA yang akan digunakan untuk pemanfaatan frequensi radio yang memerlukan kecepatan frekuensi yang extreme dengan memanfaatkan karakteristik molekular transistor ini karena desain hexagonal pattern yang dikembangkan memudahkan elektron untuk melompat dengan kecepatan yang tinggi.
Hal ini tentu saja akan mendorong dunia semiconductor untuk menemui jendela yang baru karena sampai saat ini kita belum memiliki pengganti dari transistor model silicon.
0 komentar: